金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。
从名字表面的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的**个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅较（gate electrode）使用金属作为其材料，但随着半导体技术的进步，随后MOSFET栅较使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅较开始重新使用金属。
MOSFET在概念上属于“绝缘栅较场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅较绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅较的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。
MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。
今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为可以选择，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中较着名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。
当一个够大的电位差施于MOSFET的栅较与源较（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏较（drain）与源较相同，假设漏较和源较是N型，那么通道也会是N型。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅较的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
新洁能功率器件MOSFET管
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