新洁能功率器通过采用较先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现了功率密度较大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅较电荷（Qg），尤其是栅较漏较间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段，MOSFET的FOM（品质因子（Qg*Rdson））得以实现行业内的良好水平。

应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，我们的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。

新洁能结合较先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，我们推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

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